图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 58A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 7.5 mOhm @ 16A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 77nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 3540pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 46W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | PowerPAK® SO-8 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8PowerPAK SO |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 18.5 A |
| RDS -于 | 7.5@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 30 ns |
| 典型上升时间 | 14 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 典型下降时间 | 11 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 包装高度 | 1.04 |
| 最大功率耗散 | 4600 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 7.5@10V |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装宽度 | 5.89 |
| 供应商封装形式 | PowerPAK SO |
| 包装长度 | 4.9 |
| PCB | 8 |
| 最大连续漏极电流 | 18.5 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | No Lead |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 58A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 7.5 mOhm @ 16A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 46W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3540pF @ 20V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 77nC @ 10V |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI7884BDP-T1-GE3CT |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Continuous Drain Current Id | :58A |
| Drain Source Voltage Vds | :40V |
| On Resistance Rds(on) | :0.0062ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :3V |
| 功耗 | :46W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :PowerPAK SO |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Weight (kg) | 0.0001 |
| Tariff No. | 85412900 |
| associated | SI7884BDP-T1-GE3 |
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