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厂商型号

SI7446BDP-T1-GE3 

产品描述

MOSFET 30V 19A 4.8W 7.5mohm @ 10V

内部编号

5-SI7446BDP-T1-GE3

生产厂商

Vishay / Siliconix

vishay

#1

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SI7446BDP-T1-GE3产品详细规格

规格书 SI7446BDP-T1-GE3 datasheet 规格书
SI7446BDP
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 12A
Rds(最大)@ ID,VGS 7.5 mOhm @ 19A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 33nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 3076pF @ 15V
功率 - 最大 1.9W
安装类型 Surface Mount
包/盒 PowerPAK® SO-8
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
包装材料 Tape & Reel (TR)
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 12A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
标准包装 3,000
供应商设备封装 PowerPAK® SO-8
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 7.5 mOhm @ 19A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.9W
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
输入电容(Ciss ) @ VDS 3076pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 33nC @ 5V

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