规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
2,500 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) |
150V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
2.7A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
85 mOhm @ 3.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
21nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
- |
功率 - 最大 |
1.5W |
安装类型
|
Surface Mount |
包/盒
|
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
供应商器件封装 |
8-SOICN |
包装材料
|
Tape & Reel (TR) |
包装 |
8SOIC N |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
150 V |
最大连续漏极电流 |
2.7 A |
RDS -于 |
85@10V mOhm |
最大门源电压 |
±20 V |
典型导通延迟时间 |
9 ns |
典型上升时间 |
10 ns |
典型关闭延迟时间 |
24 ns |
典型下降时间 |
17 ns |
工作温度 |
-55 to 150 °C |
安装 |
Surface Mount |
标准包装 |
Tape & Reel |
最大门源电压 |
±20 |
包装宽度 |
4(Max) |
PCB |
8 |
最大功率耗散 |
1500 |
最大漏源电压 |
150 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最大漏源电阻 |
85@10V |
每个芯片的元件数 |
1 |
最低工作温度 |
-55 |
供应商封装形式 |
SOIC N |
标准包装名称 |
SOIC |
最高工作温度 |
150 |
渠道类型 |
N |
包装长度 |
5(Max) |
引脚数 |
8 |
包装高度 |
1.55(Max) |
最大连续漏极电流 |
2.7 |
封装 |
Tape and Reel |
铅形状 |
Gull-wing |
P( TOT ) |
3.0W |
匹配代码 |
SI4848DY-T1-GE3 |
LogicLevel |
NO |
单位包 |
2500 |
标准的提前期 |
18 weeks |
最小起订量 |
2500 |
Q(克) |
21nC |
无铅Defin |
RoHS-conform |
汽车 |
NO |
我(D ) |
3.7A |
V( DS ) |
150V |
技术 |
TrenchFET |
的RDS(on ) at10V |
0.085Ohm |
FET特点 |
Logic Level Gate |
安装类型 |
Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
2.7A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
2V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) |
150V |
供应商设备封装 |
8-SOIC N |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
85 mOhm @ 3.5A, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
1.5W |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
21nC @ 10V |
封装/外壳 |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 |
SI4848DY-T1-GE3CT |
连续漏极电流 |
2.7 A |
栅源电压(最大值) |
�20 V |
功率耗散 |
1.5 W |
工作温度范围 |
-55C to 150C |
包装类型 |
SOIC N |
极性 |
N |
类型 |
Power MOSFET |
元件数 |
1 |
工作温度分类 |
Military |
漏源导通电压 |
150 V |
弧度硬化 |
No |
晶体管极性 |
:N Channel |
Continuous Drain Current Id |
:2.7A |
Drain Source Voltage Vds |
:150V |
On Resistance Rds(on) |
:68mohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs |
:10V |
Threshold Voltage Vgs |
:2V |
No. of Pins |
:8 |
Weight (kg) |
0 |
Tariff No. |
85412900 |