图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 SI4800BDY |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 6.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 18.5 mOhm @ 9A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.8V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 13nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | - |
| 功率 - 最大 | 1.3W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOICN |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| associated | SI4800BDY-T1-GE3 |
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