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数量:2495 |
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| 规格书 |
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| 包装 | 8SOIC N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 6.7@Channel 1|11.4@Channel 2 A |
| RDS -于 | 17@10V@Channel 1|10@10V@Channel 2 mOhm |
| 最大门源电压 | ±16 V |
| 典型导通延迟时间 | 8@Channel 1|24@Channel 1|9@Channel 2|24@Channel 2 ns |
| 典型上升时间 | 22@Channel 1|87@Channel 1|24@Channel 2|97@Channel 2 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 20@Channel 1|30@Channel 1|26@Channel 2|35@Channel 2 ns |
| 典型下降时间 | 8@Channel 1|34@Channel 1|8@Channel 2|45@Channel 2 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 单位包 | 2500 |
| 最小起订量 | 2500 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6.7A, 11.4A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 17 mOhm @ 8A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 功率 - 最大 | 1.38W, 2.35W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1535pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 44nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 16 V |
| 连续漏极电流 | 6.7 A, 11.4 A |
| 正向跨导 - 闵 | 40 S, 47 S |
| 功率耗散 | 1.38 W, 2.35 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
| 零件号别名 | SI4618DY-GE3 |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 29 nC, 39 nC |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 8A, 15.2A |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 系列 | SI4 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 商品名 | TrenchFET |
| 技术 | Si |
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