图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 14A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 14 mOhm @ 10A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 23nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 846pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 5W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOICN |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8SOIC N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 9.9 A |
| RDS -于 | 14@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 15|9 ns |
| 典型上升时间 | 12|9 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 13|14 ns |
| 典型下降时间 | 10|8 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 14 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 14.5 mOhms |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
| 封装 | Reel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 零件号别名 | SI4134DY-E3 |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9.9A (Ta), 14A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 14 mOhm @ 10A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 5W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 846pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 23nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RDS（ON） | 14.5 mOhms |
| 系列 | SI4 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 身高 | 1.75 mm |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 长度 | 4.9 mm |
| 商品名 | TrenchFET |
| 技术 | Si |
SI4134DY-T1-E3也可以通过以下分类找到
SI4134DY-T1-E3相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家