图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:0 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 Si1071X |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | - |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 167 mOhm @ 960mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.45V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 6.64nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 315pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 236mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SOT-563, SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SC-89-6 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 960mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.45V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | SC-89-6 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 167 mOhm @ 960mA, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 236mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 315pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 6.64nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | SOT-563, SOT-666 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI1071X-T1-GE3CT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 12 V |
| 连续漏极电流 | 0.2 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 244 mOhms |
| 功率耗散 | 236 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SC-89-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns, 36 ns |
| 零件号别名 | SI1071X-GE3 |
| 上升时间 | 12 ns, 25 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 12 ns, 25 ns |
| Continuous Drain Current Id | :-960mA |
| Drain Source Voltage Vds | :-30V |
| On Resistance Rds(on) | :0.139ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-10V |
| Threshold Voltage Vgs | :-1.45V |
| 功耗 | :236mW |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SC-89 |
| No. of Pins | :6 |
| MSL | :- |
| Current Id Max | :-960mA |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Voltage Vgs Max | :-12V |
| Weight (kg) | 0.0005 |
| Tariff No. | 85412900 |
| associated | D00840 3209885-M |
SI1071X-T1-GE3也可以通过以下分类找到
SI1071X-T1-GE3相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家