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| 规格书 |
 SI1011X |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 12V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 480mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 640 mOhm @ 400mA, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 800mV @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 62pF @ 6V |
| 功率 - 最大 | 190mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SC-89, SOT-490 |
| 供应商器件封装 | SC-89-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | P-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/p-channel-logic-level-gate-fets/16565?mpart=SI1011X-T1-GE3&vendor=742&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 480mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 800mV @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 12V |
| 供应商设备封装 | SC-89-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 640 mOhm @ 400mA, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 190mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 62pF @ 6V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 4nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | SC-89, SOT-490 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI1011X-T1-GE3CT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 系列 | SI1 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 身高 | 0.8 mm |
| 长度 | 1.6 mm |
| 商品名 | TrenchFET |
| 封装/外壳 | SC-89-3 |
| 技术 | Si |
| RoHS | RoHS Compliant |
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