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数量:418 |
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规格书 |
![]() ![]() IRLZ44SPBF |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 800 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 50A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 28 mOhm @ 31A, 5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 66nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 3300pF @ 25V |
功率 - 最大 | 3.7W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3SMD-220 |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 60 V |
最大连续漏极电流 | 50 A |
RDS -于 | 28@5V mOhm |
最大门源电压 | ±10 V |
典型导通延迟时间 | 17 ns |
典型上升时间 | 230 ns |
典型关闭延迟时间 | 42 ns |
典型下降时间 | 110 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±10 |
包装宽度 | 9.02(Max) |
PCB | 2 |
最大功率耗散 | 3700 |
最大漏源电压 | 60 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 28@5V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | SMD-220 |
标准包装名称 | D2PAK |
最高工作温度 | 175 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 10.67(Max) |
引脚数 | 3 |
包装高度 | 4.83(Max) |
最大连续漏极电流 | 50 |
封装 | Tape and Reel |
标签 | Tab |
单位包 | 800 |
最小起订量 | 800 |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 50A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2V @ 250µA |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商设备封装 | D2PAK |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 28 mOhm @ 31A, 5V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 3.7W |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 3300pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 66nC @ 5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 800 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
配置 | Single |
源极击穿电压 | +/- 10 V |
连续漏极电流 | 50 A |
安装风格 | SMD/SMT |
RDS(ON) | 28 mOhms |
功率耗散 | 3.7 W |
最低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 230 ns |
最高工作温度 | + 175 C |
漏源击穿电压 | 60 V |
RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
下降时间 | 110 ns |
品牌 | Vishay Semiconductors |
技术 | Si |
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