图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 Packaging Information |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 10A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 200 mOhm @ 6A, 5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 8.4nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 400pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 43W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220AB |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 10 A |
| RDS -于 | 200@5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±10 V |
| 典型导通延迟时间 | 9.3 ns |
| 典型上升时间 | 110 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 典型下降时间 | 26 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±10 |
| 包装宽度 | 4.7(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 43000 |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 200@5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 10.41(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 9.01(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 10 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| 单位包 | 50 |
| 最小起订量 | 1000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 10A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 其他名称 | *IRLZ14PBF |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 200 mOhm @ 6A, 5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 43W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 400pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 8.4nC @ 5V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.41 x 4.7 x 9.01mm |
| 身高 | 9.01mm |
| 长度 | 10.41mm |
| 最大漏源电阻 | 0.2 Ω |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 43 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-220AB |
| 典型栅极电荷@ VGS | 8.4 nC V @ 5 |
| 典型输入电容@ VDS | 400 pF V @ 25 |
| 宽度 | 4.7mm |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 10 V |
| 连续漏极电流 | 10 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 200 mOhms |
| 功率耗散 | 43 W |
| 封装/外壳 | TO-220AB |
| 上升时间 | 110 ns |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 26 ns |
| 漏极电流（最大值） | 10 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �10 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.2 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| Continuous Drain Current Id | :10A |
| Drain Source Voltage Vds | :60V |
| On Resistance Rds(on) | :200mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :5V |
| Threshold Voltage Vgs | :2V |
| 功耗 | :43W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :TO-220AB |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (19-Dec-2012) |
| Current Id Max | :10A |
| Current Temperature | :25°C |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| Junction to Case Thermal Resistance A | :0°C/W |
| 引线间距 | :2.54mm |
| No. of Transistors | :1 |
| Pulse Current Idm | :40A |
| Voltage Vds Typ | :60V |
| Voltage Vgs Max | :2V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :5V |
| Voltage Vgs th Max | :2V |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412900 |
| Current,Drain | 10A |
| GateCharge,Total | 8.4nC |
| PackageType | TO-220AB |
| 极化方式 | N-Channel |
| PowerDissipation | 43W |
| Resistance,DraintoSourceOn | 0.2Ohm |
| Temperature,Operating,Maximum | +175°C |
| Temperature,Operating,Minimum | -55°C |
| Time,Turn-OffDelay | 17ns |
| Time,Turn-OnDelay | 9.3ns |
| Transconductance,Forward | 3.5S |
| Voltage,Breakdown,DraintoSource | 60V |
| Voltage,Forward,Diode | 1.6V |
| Voltage,GatetoSource | ±10V |
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