规格书 |
IRLR024PBF, IRLU024PBF |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 14A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 100 mOhm @ 8.4A, 5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 18nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 870pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.5W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3DPAK |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 60 V |
最大连续漏极电流 | 14 A |
RDS -于 | 100@5V mOhm |
最大门源电压 | ±10 V |
典型导通延迟时间 | 11 ns |
典型上升时间 | 110 ns |
典型关闭延迟时间 | 23 ns |
典型下降时间 | 41 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±10 |
包装宽度 | 6.22(Max) |
PCB | 2 |
最大功率耗散 | 2500 |
最大漏源电压 | 60 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 100@5V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | DPAK |
标准包装名称 | DPAK |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 6.73(Max) |
引脚数 | 3 |
包装高度 | 2.39(Max) |
最大连续漏极电流 | 14 |
封装 | Tape and Reel |
标签 | Tab |
铅形状 | Gull-wing |
单位包 | 2000 |
最小起订量 | 2000 |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 14A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2V @ 250µA |
供应商设备封装 | D-Pak |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 100 mOhm @ 8.4A, 5V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 2.5W |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 870pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 18nC @ 5V |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | IRLR024PBFDKR |
工厂包装数量 | 2000 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
配置 | Single |
源极击穿电压 | +/- 10 V |
连续漏极电流 | 14 A |
安装风格 | SMD/SMT |
RDS(ON) | 100 mOhms |
功率耗散 | 2.5 W |
最低工作温度 | - 55 C |
封装/外壳 | DPAK |
上升时间 | 110 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 60 V |
RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
下降时间 | 41 ns |
漏极电流(最大值) | 14 A |
频率(最大) | Not Required MHz |
栅源电压(最大值) | �10 V |
输出功率(最大) | Not Required W |
噪声系数 | Not Required dB |
漏源导通电阻 | 0.1 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | DPAK |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏极效率 | Not Required % |
漏源导通电压 | 60 V |
功率增益 | Not Required dB |
弧度硬化 | No |
删除 | Compliant |
品牌 | Vishay Semiconductors |
身高 | 2.38 mm |
宽度 | 6.22 mm |
长度 | 6.73 mm |
技术 | Si |
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