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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IRF9Z24S 

产品描述

MOSFET P-Chan 60V 11 Amp

内部编号

5-IRF9Z24S

生产厂商

Vishay / Siliconix

VISHAY

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IRF9Z24S产品详细规格

规格书 IRF9Z24S datasheet 规格书
IRF9Z24S/L
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装 1,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 11A
Rds(最大)@ ID,VGS 280 mOhm @ 6.6A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 19nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 570pF @ 25V
功率 - 最大 3.7W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
包装材料 Tube
单位包 0
最小起订量 1
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 11A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
其他名称 *IRF9Z24S
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 280 mOhm @ 6.6A, 10V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 3.7W
标准包装 1,000
漏极至源极电压(Vdss) 60V
输入电容(Ciss ) @ VDS 570pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 19nC @ 10V
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

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