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厂商型号

IRF9520 

产品描述

TRANS MOSFET P-CH 100V 6.8A 3PIN TO-220

内部编号

5-IRF9520

#1

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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IRF9520产品详细规格

规格书 IRF9520 datasheet 规格书
IRF9520PBF
Packaging Information
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装 1,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 6.8A
Rds(最大)@ ID,VGS 600 mOhm @ 4.1A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 18nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 390pF @ 25V
功率 - 最大 60W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube
包装 3TO-220AB
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 100 V
最大连续漏极电流 6.8 A
RDS -于 600@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 9.6 ns
典型上升时间 29 ns
典型关闭延迟时间 21 ns
典型下降时间 25 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Through Hole
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Not Compliant
最高工作温度 175
标准包装名称 TO-220
最低工作温度 -55
最大漏源电阻 600@10V
最大漏源电压 100
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 TO-220AB
最大功率耗散 60000
最大连续漏极电流 6.8
引脚数 3
铅形状 Through Hole
单位包 0
最小起订量 1
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 6.8A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
其他名称 *IRF9520
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 600 mOhm @ 4.1A, 10V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 60W
标准包装 1,000
漏极至源极电压(Vdss) 100V
输入电容(Ciss ) @ VDS 390pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 18nC @ 10V
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant
工厂包装数量 1000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 6.8 A
安装风格 Through Hole
RDS(ON) 600 mOhms
功率耗散 60 W
最低工作温度 - 55 C
上升时间 29 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 - 100 V
RoHS No
下降时间 25 ns
漏极电流(最大值) 6.8 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) �20 V
输出功率(最大) Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.6 ohm
工作温度范围 -55C to 175C
包装类型 TO-220AB
极性 P
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %
漏源导通电压 100 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
删除 Not Compliant

IRF9520系列产品

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