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规格书 |
![]() IRF9520PBF Packaging Information |
Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
标准包装 | 1,000 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 6.8A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 600 mOhm @ 4.1A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 18nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 390pF @ 25V |
功率 - 最大 | 60W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220AB |
渠道类型 | P |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 100 V |
最大连续漏极电流 | 6.8 A |
RDS -于 | 600@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 9.6 ns |
典型上升时间 | 29 ns |
典型关闭延迟时间 | 21 ns |
典型下降时间 | 25 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Through Hole |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
最高工作温度 | 175 |
标准包装名称 | TO-220 |
最低工作温度 | -55 |
最大漏源电阻 | 600@10V |
最大漏源电压 | 100 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | TO-220AB |
最大功率耗散 | 60000 |
最大连续漏极电流 | 6.8 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Through Hole |
单位包 | 0 |
最小起订量 | 1 |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 6.8A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商设备封装 | TO-220AB |
其他名称 | *IRF9520 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 600 mOhm @ 4.1A, 10V |
FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 60W |
标准包装 | 1,000 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 390pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 18nC @ 10V |
RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
工厂包装数量 | 1000 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | P-Channel |
配置 | Single |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 6.8 A |
安装风格 | Through Hole |
RDS(ON) | 600 mOhms |
功率耗散 | 60 W |
最低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 29 ns |
最高工作温度 | + 175 C |
漏源击穿电压 | - 100 V |
RoHS | No |
下降时间 | 25 ns |
漏极电流(最大值) | 6.8 A |
频率(最大) | Not Required MHz |
栅源电压(最大值) | �20 V |
输出功率(最大) | Not Required W |
噪声系数 | Not Required dB |
漏源导通电阻 | 0.6 ohm |
工作温度范围 | -55C to 175C |
包装类型 | TO-220AB |
极性 | P |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏极效率 | Not Required % |
漏源导通电压 | 100 V |
功率增益 | Not Required dB |
弧度硬化 | No |
删除 | Not Compliant |
IRF9520也可以通过以下分类找到
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