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数量:444 |
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| 规格书 |
 SIHG17N60D |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 600V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 17A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 340 mOhm @ 8A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 90nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1780pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 277.8W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 单位包 | 500 |
| 最小起订量 | 500 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 17A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | TO-247AC |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 340 mOhm @ 8A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 277.8W |
| 标准包装 | 500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1780pF @ 100V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 90nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SIHG17N60D-E3CT |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 5 V |
| 连续漏极电流 | 17 A |
| RDS（ON） | 340 mOhms |
| 功率耗散 | 277.8 W |
| 封装/外壳 | TO-247AC |
| 零件号别名 | SIHG17N60D-GE3 |
| 配置 | Single |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 17A (Tc) |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 系列 | E |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 商品名 | TrenchFET |
| 技术 | Si |
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