Vishay / Siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Through Hole |
| Package Width | 5.31(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 250000 |
| 最大漏源电压 | 650 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Drain Source Resistance | 145@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-247AC |
| 标准包装名称 | TO-247 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 15.87(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 20.7(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 24 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 24A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 650V |
| 标准包装 | 500 |
| 供应商设备封装 | TO-247AC |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 145 mOhm @ 12A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 250W |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2740pF @ 100V |
| 其他名称 | SIHG24N65EE3 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 122nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 24 A |
| 正向跨导 - 闵 | 7.1 S |
| RDS（ON） | 145 mOhms |
| 功率耗散 | 250 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 650 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 81 nC |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-247AC |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 650 V |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :24A |
| Drain Source Voltage Vds | :650V |
| On Resistance Rds(on) | :0.12ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :2V |
| 功耗 | :250W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-247AC |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Voltage Vgs Max | :30V |
| Weight (kg) | 0.006 |
| Tariff No. | 85044090 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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