图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:250 |
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最小起订量:1 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:845 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:270 |
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最小起订量:1 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
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| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 11A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 280 mOhm @ 6.6A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 19nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 570pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3.7W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3D2PAK |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 11 A |
| RDS -于 | 280@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 13 ns |
| 典型上升时间 | 68 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 典型下降时间 | 29 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Bulk |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 9.65(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 3700 |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 280@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最高工作温度 | 175 |
| 包装长度 | 10.41(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 4.83(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 11 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| P（ TOT ） | 3.7W |
| 匹配代码 | SIHF9Z24S-E3 |
| R（ THJC ） | 2.5K/W |
| LogicLevel | NO |
| 单位包 | 50 |
| 标准的提前期 | 12 weeks |
| 最小起订量 | 1000 |
| Q（克） | 19nC |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 汽车 | NO |
| 我（D ） | -11A |
| V（ DS ） | -60V |
| 技术 | TrenchFET |
| 的RDS（on ） at10V | 0.28Ohm |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 11A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 280 mOhm @ 6.6A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.7W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 570pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 19nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
| 身高 | 4.83mm |
| 长度 | 10.67mm |
| 最大漏源电阻 | 0.28 Ω |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 3.7 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | D2PAK |
| 典型栅极电荷@ VGS | 19 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 570 pF V @ 25 |
| 宽度 | 9.65mm |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 11 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 280 mOhms |
| 功率耗散 | 3.7 W |
| 上升时间 | 68 ns |
| 漏源击穿电压 | - 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 29 ns |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| associated | EYGA121807A EYGA091203SM FK 244 13 D2 PAK FK 244 08 D2 PAK |
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