2N6660JTX02

产品描述

Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD

内部编号

生产厂商

数量:10001

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马来西亚吉隆坡
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规格书
包装	3TO-205AD
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	60 V
最大连续漏极电流	0.99 A
RDS -于	3000@10V mOhm
最大门源电压	±20 V
工作温度	-55 to 125 °C
安装	Through Hole
标准包装	Bulk
最大门源电压	±20
欧盟RoHS指令	Supplier Unconfirmed
最高工作温度	150
标准包装名称	TO-205AD
包装高度	6.6(Max)
最大功率耗散	725
渠道类型	N
最大漏源电阻	3000@10V
最低工作温度	-55
最大漏源电压	60
每个芯片的元件数	1
包装宽度	8.15(Max)
筛选等级	Military
供应商封装形式	TO-205AD
包装长度	9.4(Max)
PCB	3
最大连续漏极电流	0.99
引脚数	3
单位包	20
最小起订量	20
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	990mA (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	2V @ 1mA
封装/外壳	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供应商设备封装	TO-39
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	5 Ohm @ 300mA, 5V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	725mW
漏极至源极电压（Vdss）	60V
输入电容（Ciss ） @ VDS	50pF @ 25V
RoHS指令	Contains lead / RoHS non-compliant
连续漏极电流	0.99 A
栅源电压（最大值）	�20 V
功率耗散	0.725 W
工作温度范围	-55C to 150C
包装类型	TO-205AD
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏源导通电压	60 V
弧度硬化	No
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	990mA (Tc)

型号	厂家	产品描述
2N6660JTXP02	vishay / siliconix	Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD
2N6660JTXV02	vishay / siliconix	Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD
2N6660	Supertex	MOSFET 60V 3Ohm
2N6660	vishay / semiconductor	Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD
2N6660	vishay / siliconix	N-CH MOSFET TO-39 60V 3 OHM (HOTS)
2N6660-2	vishay / semiconductor	Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD
2N6660-2	vishay / siliconix	Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD
2N6660-E3	vishay / semiconductor	Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD
2N6660-E3	vishay / siliconix	N-CH MOSFET TO-39 60V 3 OHM (HOTS) LEAD FREE
2N6660JANTX	microsemi	NPN TRANSISTOR
2N6660JANTX	vishay / semiconductor	Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD

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