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厂商型号

2N5089 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Gen Pur SS

内部编号

468-2N5089

生产厂商

Central Semiconductor

central-semiconductor

#1

数量:13277
1+¥3.1433
10+¥2.815
25+¥2.4643
100+¥2.1123
250+¥1.8306
500+¥1.549
1000+¥1.1969
2500+¥1.0913
5000+¥1.0209
最小起订量:1
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2N5089产品详细规格

规格书 2N5089 datasheet 规格书
2N5089 datasheet 规格书
Status Active
工厂包装数量 2500
集电极 - 发射极饱和电压 0.5 V
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 4.5 V
最大功率耗散 625 mW
直流电流增益hFE最大值 400
增益带宽产品fT 50 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 25 V
安装风格 Through Hole
封装 Bulk
集电极 - 基极电压VCBO 30 V
最低工作温度 - 65 C
封装/外壳 TO-92-3
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 0.05 A
电流 - 集电极( Ic)(最大) 50mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 50MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) 50nA (ICBO)
标准包装 2,500
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 25V
供应商设备封装 TO-92
功率 - 最大 625mW
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 400 @ 100µA, 5V
其他名称 2N5089 LEAD FREE
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
品牌 Central Semiconductor
长度 5.21 mm
集电极最大直流电流 50 mA
系列 2N5089
身高 5.33 mm
Pd - Power Dissipation 625 mW
直流集电极/增益hfe最小值 400 at 10 mA, 5 V

2N5089系列产品

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