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| 规格书 |
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| 类型 | GaAs pHEMT |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 漏源电压VDS | 4 V |
| 产品种类 | Transistors RF JFET |
| 源极击穿电压 | - 3 V |
| 连续漏极电流 | 70 mA |
| 正向跨导 - 闵 | 55 mS |
| 噪声系数 | 0.35 dB |
| 产品 | RF JFET |
| 封装 | Cut Tape |
| 功率耗散 | 165 mW |
| 频率 | 12 GHz |
| 增益 | 13.5 dB |
| 封装/外壳 | SO-1 |
| 最高工作温度 | + 125 C |
| 栅源截止电压 | 2 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
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