图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 100 |
| Amplifier 型 | J-FET |
| 数字电路 | 1 |
| Output 型 | - |
| 转换率 | 16 V/µs |
| 增益带宽积 | 4MHz |
| -3db带宽 | - |
| 电流 - 输入偏压 | 20pA |
| - 输入电压偏移 | 3000µV |
| 电流 - 电源 | 1.4mA |
| 电流 - 输出/通道 | 40mA |
| None | 6 V ~ 36 V, ±3 V ~ 18 V |
| 操作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 8SO N |
| 每个芯片的通道数 | 1 |
| 类型 | General Purpose Amplifier |
| 典型增益带宽积 | 4 MHz |
| 典型的转换率 | 16@±15V V/us |
| 最大输入失调电压 | 6@±15V mV |
| 最大输入偏置电流 | 0.2@±15V uA |
| 典型输入噪声电压密度 | 15@±15V nV/rtHz |
| 最低CMRR | 80 dB |
| 最小双电源电压 | ±3 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度 | 0 to 70 °C |
| 典型电压增益 | 106.02 dB |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 制造商类型 | General Purpose Amplifier |
| 轨至轨 | No |
| 包装宽度 | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 680 |
| 最大双电源电压 | ±18 |
| 最大输入偏置电流 | 0.2@±15V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 典型增益带宽积 | 4 |
| 典型电压增益 | 106.02 |
| 电源类型 | Dual |
| 最低CMRR | 80 |
| 最低工作温度 | 0 |
| 供应商封装形式 | SO N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 70 |
| 最小双电源电压 | ±3 |
| 典型双电源电压 | ±5|±9|±12|±15 |
| 关机支持 | No |
| 包装长度 | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| Maximum Input Offset Current | 0.0001@±15V |
| 最大输入失调电压 | 6@±15V |
| 包装高度 | 1.65(Max) |
| 封装 | Tube |
| 典型的转换率 | 16@±15V |
| 技术 | BiFET |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 输出/通道 | 40mA |
| 放大器类型 | J-FET |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 电流 - 电源 | 1.4mA |
| Voltage - Supply, Single/Dual (±) | 6 V ~ 36 V, ±3 V ~ 18 V |
| 压摆率 | 16 V/µs |
| 电流 - 输入偏压 | 20pA |
| 电压 - 输入偏移 | 3mV |
| 电路数 | 1 |
| 增益带宽积 | 4MHz |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 封装/外壳 | SO-8 |
| 工作电源电压 | 6 V to 36 V, +/- 3 V to +/- 18 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | Operational Amplifiers - Op Amps |
| 共模抑制比 - 闵 | 80 dB |
| 通道数 | 1 Channel |
| 最高工作温度 | + 70 C |
| 关机 | No Shutdown |
| 最大双电源电压 | +/- 18 V |
| RoHS | In Transition |
| 输出电流 | 40 mA |
| 电源电流 | 2.5 mA |
| 输入失调电压 | 6 mV |
| 最低工作温度 | 0 C |
| 输入偏置电流 - 最大 | 200 nA |
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