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| 规格书 |
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| 文档 |
STS8DNF3LL View All Specifications |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他相关文件 | STS8DNF3LL View All Specifications |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 8A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 20 mOhm @ 4A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 17nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 800pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.6W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8SO N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 8 A |
| RDS -于 | 20@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±16 V |
| 典型导通延迟时间 | 18 ns |
| 典型上升时间 | 32 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 典型下降时间 | 11 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±16 |
| 包装宽度 | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 20@10V |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SO N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| 包装高度 | 1.65(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 8 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 8A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 20 mOhm @ 4A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 1.6W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 800pF @ 25V |
| 其他名称 | 497-2470-2 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 17nC @ 5V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 系列 | STripFET™ |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 800pF @ 25V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 20 mOhm @ 4A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 17nC @ 5V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 功率 - 最大值 | 1.6W |
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