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STF11NM60ND View All Specifications |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
其他相关文件 | STF11NM60ND View All Specifications |
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 600V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 10A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 450 mOhm @ 5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 30nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 850pF @ 50V |
功率 - 最大 | 25W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 Full Pack |
供应商器件封装 | TO-220FP |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220FP |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 600 V |
最大连续漏极电流 | 10 A |
RDS -于 | 450@10V mOhm |
最大门源电压 | ±25 V |
典型导通延迟时间 | 16 ns |
典型上升时间 | 7 ns |
典型关闭延迟时间 | 50 ns |
典型下降时间 | 9 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
最大门源电压 | ±25 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-220F |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
封装 | Tube |
最大漏源电阻 | 450@10V |
最大漏源电压 | 600 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | TO-220FP |
最大功率耗散 | 25000 |
最大连续漏极电流 | 10 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Through Hole |
P( TOT ) | 25W |
匹配代码 | STF11NM60ND |
R( THJC ) | 5K/W |
LogicLevel | NO |
单位包 | 50 |
标准的提前期 | 10 weeks |
最小起订量 | 1000 |
Q(克) | 30nC |
无铅Defin | RoHS-conform |
汽车 | NO |
我(D ) | 10A |
V( DS ) | 650V |
技术 | Fdmesh |
的RDS(on ) at10V | 0.45Ohm |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 10A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
供应商设备封装 | TO-220FP |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 450 mOhm @ 5A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 25W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 850pF @ 50V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 30nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
类别 | Power MOSFET |
外形尺寸 | 10.4 x 4.6 x 16.4mm |
身高 | 16.4mm |
长度 | 10.4mm |
最大漏源电阻 | 0.45 Ω |
最高工作温度 | +150 °C |
最大功率耗散 | 25 W |
包装类型 | TO-220FP |
典型栅极电荷@ VGS | 30 nC @ 10 V |
典型输入电容@ VDS | 850 pF @ 50 V |
宽度 | 4.6mm |
安装风格 | Through Hole |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
配置 | Single |
源极击穿电压 | +/- 25 V |
连续漏极电流 | 10 A |
RDS(ON) | 450 mOhms |
功率耗散 | 90 W |
最低工作温度 | - 55 C |
封装/外壳 | TO-220FP |
上升时间 | 7 ns |
漏源击穿电压 | 600 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 9 ns |
栅源电压(最大值) | �25 V |
漏源导通电阻 | 0.45 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏源导通电压 | 600 V |
弧度硬化 | No |
Continuous Drain Current Id | :10A |
Drain Source Voltage Vds | :600V |
On Resistance Rds(on) | :0.37ohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
Threshold Voltage Vgs | :4V |
功耗 | :25W |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :TO-220FP |
No. of Pins | :3 |
MSL | :- |
SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
Weight (kg) | 0.19 |
Tariff No. | 85412900 |
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