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厂商型号

STBV45 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw

内部编号

390-STBV45

生产厂商

STMicroelectronics

STM

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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STBV45产品详细规格

规格书 STBV45 datasheet 规格书
STBV45
文档 STBV45 View All Specifications
Rohs Lead free / RoHS Compliant
其他相关文件 STBV45 View All Specifications
标准包装 2,500
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 750mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 400V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1.5V @ 135mA, 400mA
电流 - 集电极截止(最大) 250µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 5 @ 400mA, 5V
功率 - 最大 950mW
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Bulk
集电极最大直流电流 0.75
最小直流电流增益 12@0.5mA@2V|10@0.2A@5V|5@0.4A@5V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
最低工作温度 -65
最大基地发射极电压 9
封装 Bulk
每个芯片的元件数 1
最大功率耗散 950
供应商封装形式 TO-92
最大集电极发射极电压 400
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 750mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1.5V @ 135mA, 400mA
电流 - 集电极截止(最大) 250µA
标准包装 2,500
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 400V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 950mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 5 @ 400mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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