图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:5317 |
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最小起订量:1 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:755 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:234 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
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| 文档 |
STS8C5H30L View All Specifications |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他相关文件 | STS8C5H30L View All Specifications |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | N and P-Channel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 8A, 5.4A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 22 mOhm @ 4A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 10nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 857pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8SO N |
| 渠道类型 | N|P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 8@N Channel|5.4@P Channel A |
| RDS -于 | 22@10V@N Channel|55@10V@P Channel mOhm |
| 最大门源电压 | ±16 V |
| 典型导通延迟时间 | 12@N Channel|25@P Channel ns |
| 典型上升时间 | 14.5@N Channel|35@P Channel ns |
| 典型关闭延迟时间 | 23@N Channel|125@P Channel ns |
| 典型下降时间 | 8@N Channel|35@P Channel ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±16 |
| 包装宽度 | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 22@10V@N Channel|55@10V@P Channel |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SO N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| 包装高度 | 1.65(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 8@N Channel|5.4@P Channel |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| P（ TOT ） | 1.6W |
| 匹配代码 | STS8C5H30L |
| R（ THJC ） | 2.0K/W |
| LogicLevel | YES |
| 单位包 | 2500 |
| 标准的提前期 | 10 weeks |
| 最小起订量 | 2500 |
| Q（克） | 10nC |
| LLRDS （上） | 0.022Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | 2.5V |
| 我（D ） | 8A |
| V（ DS ） | 30V |
| 技术 | STripFET |
| 的RDS（on ） at10V | 0.022Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 8A, 5.4A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 其他名称 | 497-4398-2 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 22 mOhm @ 4A, 10V |
| FET型 | N and P-Channel |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 857pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 10nC @ 5V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Dual, Dual Drain |
| 外形尺寸 | 5 x 4 x 1.25mm |
| 身高 | 1.25mm |
| 长度 | 5mm |
| 最大漏源电阻 | 0.022 (N-Channel) Ω, 0.055 (P-Channel) Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SO |
| 典型栅极电荷@ VGS | 12.5 nC @ 5 V (P-Channel), 7 nC @ 5 V (N-Channel) |
| 典型输入电容@ VDS | 1350 pF @ 25 V (P-Channel), 857 pF @ 25 V (N-Channel) |
| 宽度 | 4mm |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �16 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N/P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 晶体管极性 | :N and P Channel |
| Continuous Drain Current Id | :8A |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :0.018ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.6V |
| 功耗 | :1.6W |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOIC |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Weight (kg) | 0.008 |
| Tariff No. | 85412900 |
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