1. STL55NH3LL
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

STL55NH3LL 

产品描述

MOSFET N-channel 30 V

内部编号

390-STL55NH3LL

生产厂商

STMicroelectronics

stm

#1

数量:5892
1+¥12.4333
10+¥11.2598
100+¥9.0456
500+¥7.0356
1000+¥5.8295
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STL55NH3LL产品详细规格

规格书 STL55NH3LL datasheet 规格书
STL55NH3LL
STL55NH3LL datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 55A
Rds(最大)@ ID,VGS 8.8 mOhm @ 7.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 12nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 965pF @ 25V
功率 - 最大 4W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-PowerVDFN
供应商器件封装 PowerFlat™ (6x5)
包装材料 Tape & Reel (TR)
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 55A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
供应商设备封装 PowerFlat™ (6x5)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 8.8 mOhm @ 7.5A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 4W
标准包装 3,000
输入电容(Ciss ) @ VDS 965pF @ 25V
其他名称 497-7018-2
闸电荷(Qg ) @ VGS 12nC @ 4.5V
封装/外壳 8-PowerVDFN
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single Quad Drain Triple Source
源极击穿电压 +/- 16 V
连续漏极电流 55 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 8.8 mOhms
功率耗散 60 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 PowerFLAT
典型关闭延迟时间 18 ns
上升时间 32 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 8.5 ns
Continuous Drain Current Id :7.5A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :7.9mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :2.5V
功耗 :60W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :PowerFLAT
No. of Pins :8
MSL :-
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
工作温度范围 :-55°C to +150°C
端接类型 :SMD
晶体管类型 :Power MOSFET
Voltage Vds Typ :30V
Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
Weight (kg) 0.0002
Tariff No. 85423300

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