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数量:5892 |
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规格书 |
![]() STL55NH3LL ![]() |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 55A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 8.8 mOhm @ 7.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 12nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 965pF @ 25V |
功率 - 最大 | 4W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-PowerVDFN |
供应商器件封装 | PowerFlat™ (6x5) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 55A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
供应商设备封装 | PowerFlat™ (6x5) |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 8.8 mOhm @ 7.5A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 4W |
标准包装 | 3,000 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 965pF @ 25V |
其他名称 | 497-7018-2 |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 12nC @ 4.5V |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 3000 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |
源极击穿电压 | +/- 16 V |
连续漏极电流 | 55 A |
安装风格 | SMD/SMT |
RDS(ON) | 8.8 mOhms |
功率耗散 | 60 W |
最低工作温度 | - 55 C |
封装/外壳 | PowerFLAT |
典型关闭延迟时间 | 18 ns |
上升时间 | 32 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 30 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 8.5 ns |
Continuous Drain Current Id | :7.5A |
Drain Source Voltage Vds | :30V |
On Resistance Rds(on) | :7.9mohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
Threshold Voltage Vgs | :2.5V |
功耗 | :60W |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :PowerFLAT |
No. of Pins | :8 |
MSL | :- |
SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
端接类型 | :SMD |
晶体管类型 | :Power MOSFET |
Voltage Vds Typ | :30V |
Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
Weight (kg) | 0.0002 |
Tariff No. | 85423300 |
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