STMicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 55A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | PowerFlat™ (6x5) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 8.8 mOhm @ 7.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 4W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 965pF @ 25V |
| 其他名称 | 497-7018-2 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 12nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 源极击穿电压 | +/- 16 V |
| 连续漏极电流 | 55 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 8.8 mOhms |
| 功率耗散 | 60 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | PowerFLAT |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 上升时间 | 32 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 8.5 ns |
| Continuous Drain Current Id | :7.5A |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :7.9mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :2.5V |
| 功耗 | :60W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :PowerFLAT |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| 端接类型 | :SMD |
| 晶体管类型 | :Power MOSFET |
| Voltage Vds Typ | :30V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Weight (kg) | 0.0002 |
| Tariff No. | 85423300 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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