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| 规格书 |
 LET9060 |
| 文档 |
LET9060 View All Specifications |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他相关文件 | LET9060 View All Specifications |
| 标准包装 | 50 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 频率 | 960MHz |
| 增益 | 17.2dB |
| 电压 - 测试 | 28V |
| 额定电流 | 12A |
| 噪声系数 | - |
| 电流 - 测试 | 300mA |
| Power - 输出功率 | 60W |
| 电压 - 额定 | 80V |
| 包/盒 | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
| 供应商器件封装 | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| 包装材料 | Tube |
| 供应商封装形式 | PowerSO-10RF (Formed lead) |
| 标准包装名称 | PowerSO-10RF (Formed lead) |
| 最大频率 | 1000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 165 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 输出功率 | 80(Typ) |
| 最低工作温度 | -65 |
| Typical Drain Efficiency | 70 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tube |
| 典型功率增益 | 17.2 |
| 最大漏源电压 | 80 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 典型输入电容@ VDS | 77@28V |
| 最大功率耗散 | 95000 |
| 最大连续漏极电流 | 12 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 50 |
| 最小起订量 | 400 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 额定 | 80V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| 电压 - 测试 | 28V |
| 频率 | 960MHz |
| 增益 | 17.2dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
| 电流 - 测试 | 300mA |
| 额定电流 | 12A |
| 功率 - 输出 | 60W |
| 其他名称 | 497-12845-5 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 输出功率 | 60 W |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -65C to 165C |
| 元件数 | 1 |
| 筛选等级 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率（最大） | 1000 MHz |
| 正向跨导（典型值） | 2.5(Min) S |
| 输入电容（典型值） @ VDS | 77@28V pF |
| 功率增益（典型值） @ VDS | 17.2 dB |
| 漏极效率（典型值） | 70 % |
| 反向电容（典型值） | 1.2@28V pF |
| 连续漏极电流 | 12 A |
| 功率耗散（最大） | 95000 mW |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 系列 | LET9060 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 工作频率 | 1 GHz |
| 技术 | Si |
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