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| 规格书 |
 LET9060C |
| 文档 |
LET9060C View All Specifications |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他相关文件 | LET9060C View All Specifications |
| 标准包装 | 25 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 频率 | 945MHz |
| 增益 | 18dB |
| 电压 - 测试 | 28V |
| 额定电流 | 12A |
| 噪声系数 | - |
| 电流 - 测试 | 400mA |
| Power - 输出功率 | 75W |
| 电压 - 额定 | 80V |
| 包/盒 | M243 |
| 供应商器件封装 | M243 |
| 包装材料 | Bulk |
| 供应商封装形式 | Case M-243 |
| 最大频率 | 1000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 200 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 输出功率 | 75(Typ) |
| 最低工作温度 | -65 |
| Typical Drain Efficiency | 70 |
| 渠道类型 | N |
| 典型功率增益 | 18 |
| 最大漏源电压 | 80 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 典型输入电容@ VDS | 77@28V |
| 最大功率耗散 | 130000 |
| 最大连续漏极电流 | 12 |
| 引脚数 | 3 |
| 单位包 | 25 |
| 最小起订量 | 50 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 额定 | 80V |
| 标准包装 | 25 |
| 供应商设备封装 | M243 |
| 电压 - 测试 | 28V |
| 封装 | Bulk |
| 频率 | 945MHz |
| 增益 | 18dB |
| 封装/外壳 | M243 |
| 电流 - 测试 | 400mA |
| 额定电流 | 12A |
| 功率 - 输出 | 75W |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 15 V |
| 连续漏极电流 | 12 A |
| 功率耗散 | 130 W |
| 输出功率 | 90 W |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 80 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 安装 | Screw |
| 工作温度范围 | -65C to 200C |
| 包装类型 | Case M-243 |
| 元件数 | 1 |
| 筛选等级 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率（最大） | 1000 MHz |
| 正向跨导（典型值） | 2.5(Min) S |
| 输入电容（典型值） @ VDS | 77@28V pF |
| 功率增益（典型值） @ VDS | 18 dB |
| 漏极效率（典型值） | 70 % |
| 反向电容（典型值） | 1.2@28V pF |
| 功率耗散（最大） | 130000 mW |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 类型 | RF Power MOSFET |
| 系列 | LET9060 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| Id - Continuous Drain Current | 12 A |
| Pd - Power Dissipation | 130 W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 80 V |
| 工作频率 | 1 GHz |
| 技术 | Si |
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