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| 规格书 |
 LET9045 |
| 文档 |
LET9045 View All Specifications |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他相关文件 | LET9045 View All Specifications |
| 标准包装 | 50 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 频率 | 960MHz |
| 增益 | 17.5dB |
| 电压 - 测试 | 28V |
| 额定电流 | 9A |
| 噪声系数 | - |
| 电流 - 测试 | 300mA |
| Power - 输出功率 | 59W |
| 电压 - 额定 | 80V |
| 包/盒 | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
| 供应商器件封装 | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| 包装材料 | Tray |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 额定 | 80V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
| 电压 - 测试 | 28V |
| 封装 | Tray |
| 频率 | 960MHz |
| 增益 | 17.5dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
| 电流 - 测试 | 300mA |
| 额定电流 | 9A |
| 功率 - 输出 | 59W |
| 其他名称 | 497-12426 |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 输出功率 | 45 W |
| 漏极电流（最大值） | 5 A |
| 频率（最大） | 1000 MHz |
| 栅源电压（最大值） | 15 V |
| 功率耗散 | 79 W |
| 安装 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 |
| 极性 | N |
| 类型 | RF MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏极效率 | 65 % |
| 漏源导通电压 | 65 V |
| 功率增益 | 17.5 dB |
| 弧度硬化 | No |
| 连续漏极电流 | 5 A |
| 工作温度范围 | -65C to 165C |
| 渠道类型 | N |
| 筛选等级 | Military |
| 驻波比（Max ） | 10(Min) |
| 正向跨导（典型值） | 2.5(Min) S |
| 输入电容（典型值） @ VDS | 59@28V pF |
| 输出电容（典型值） @ VDS | 28@28V pF |
| 功率增益（典型值） @ VDS | 17.5 dB |
| 漏极效率（典型值） | 65 % |
| 反向电容（典型值） | 0.8@28V pF |
| 输出功率（最大） | 59W(Typ) |
| 漏源电压（最大值） | 65 V |
| 功率耗散（最大） | 79000 mW |
| 删除 | Compliant |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 系列 | LET9045 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 工作频率 | 1 GHz |
| 技术 | Si |
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