stmicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3Case M-250 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 80 V |
| 最大连续漏极电流 | 9 A |
| 最大门源电压 | -0.5 to 15 V |
| 工作温度 | -65 to 200 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Boxed |
| 供应商封装形式 | Case M-250 |
| 最大频率 | 1000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 200 |
| 输出功率 | 59(Typ) |
| 最低工作温度 | -65 |
| Typical Drain Efficiency | 65 |
| 渠道类型 | N |
| Typical Power Gain | 17.7 |
| 最大漏源电压 | 80 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 典型输入电容@ VDS | 58@28V |
| 最大功率耗散 | 108000 |
| 最大连续漏极电流 | 9 |
| 引脚数 | 3 |
| 单位包 | 25 |
| 最小起订量 | 50 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 额定 | 80V |
| 供应商设备封装 | M250 |
| 电压 - 测试 | 28V |
| 封装 | Tray |
| 频率 | 960MHz |
| 增益 | 17.7dB |
| 封装/外壳 | M250 |
| 电流 - 测试 | 300mA |
| 额定电流 | 9A |
| 功率 - 输出 | 59W |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 15 V |
| 连续漏极电流 | 9 A |
| 功率耗散 | 108 W |
| 输出功率 | 70 W |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 80 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工作温度范围 | -65C to 200C |
| 包装类型 | Case M-250 |
| 元件数 | 1 |
| 筛选等级 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率（最大） | 1000 MHz |
| 正向跨导（典型值） | 2.5(Min) S |
| 输入电容（典型值） @ VDS | 58@28V pF |
| 漏极效率（典型值） | 65 % |
| 反向电容（典型值） | 0.8@28V pF |
| 功率耗散（最大） | 108000 mW |
| Drain Source Voltage Vds | :80V |
| Continuous Drain Current Id | :9A |
| 功耗 | :108W |
| Operating Frequency Max | :1GHz |
| Operating Temperature Max | :200°C |
| RF Transistor Case | :M250 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Weight (kg) | 0.0001 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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