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规格书 |
Mosfets Prod Guide |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 40A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 3.5 mOhm @ 20A, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 1.3V @ 200µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 32nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2900pF @ 10V |
功率 - 最大 | 45W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-PowerVDFN |
供应商器件封装 | 8-SOP Advance |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 8SOP EP |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 20 V |
最大连续漏极电流 | 40 A |
RDS -于 | 3.5@4.5V mOhm |
最大门源电压 | ±12 V |
典型上升时间 | 13 ns |
典型下降时间 | 22 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±12 |
包装宽度 | 5 |
PCB | 8 |
最大功率耗散 | 45000 |
最大漏源电压 | 20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 3.5@4.5V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | SOP EP |
标准包装名称 | SOIC |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 5 |
引脚数 | 8 |
包装高度 | 0.95 |
最大连续漏极电流 | 40 |
封装 | Tape and Reel |
铅形状 | Flat |
FET特点 | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 40A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1.3V @ 200µA |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
供应商设备封装 | 8-SOP Advance |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 3.5 mOhm @ 20A, 4.5V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 45W |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 2900pF @ 10V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 32nC @ 5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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