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厂商型号

TPCA8011-H(TE12LQM 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 20V 40A 8-Pin SOP EP T/R

内部编号

369-TPCA8011-H-TE12LQM

生产厂商

toshiba

toshiba

#1

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TPCA8011-H(TE12LQM产品详细规格

规格书 TPCA8011-H(TE12LQM datasheet 规格书
TPCA8011-H(TE12LQM datasheet 规格书
Mosfets Prod Guide
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 40A
Rds(最大)@ ID,VGS 3.5 mOhm @ 20A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.3V @ 200µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 32nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2900pF @ 10V
功率 - 最大 45W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-PowerVDFN
供应商器件封装 8-SOP Advance
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 8SOP EP
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 40 A
RDS -于 3.5@4.5V mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型上升时间 13 ns
典型下降时间 22 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±12
包装宽度 5
PCB 8
最大功率耗散 45000
最大漏源电压 20
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 3.5@4.5V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOP EP
标准包装名称 SOIC
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 5
引脚数 8
包装高度 0.95
最大连续漏极电流 40
封装 Tape and Reel
铅形状 Flat
FET特点 Logic Level Gate, 2.5V Drive
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 40A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.3V @ 200µA
封装/外壳 8-PowerVDFN
供应商设备封装 8-SOP Advance
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 3.5 mOhm @ 20A, 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 45W
漏极至源极电压(Vdss) 20V
输入电容(Ciss ) @ VDS 2900pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 32nC @ 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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