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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

TK6A60D(Q,M) 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

内部编号

369-TK6A60D-Q-M

生产厂商

toshiba

toshiba

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税
支付方式

TK6A60D(Q,M)产品详细规格

规格书 TK6A60D(Q,M) datasheet 规格书
包装 3TO-220SIS
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 600 V
最大连续漏极电流 6 A
RDS -于 1250@10V mOhm
最大门源电压 ±30 V
典型上升时间 20 ns
典型下降时间 12 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Through Hole
标准包装 Trays
连续漏极电流 6 A
栅源电压（最大值） �30 V
功率耗散 40 W
漏源导通电阻 1.25 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-220SIS
引脚数 3 +Tab
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 600 V
弧度硬化 No

TK6A60D(Q,M)系列产品

型号厂家产品描述
TK6A60D(Q) toshiba Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
TK6A60D(STA4,Q,M) toshiba Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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