#1 |
数量:66 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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#2 |
数量:250 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:157 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货,5-8个工作日送达. |
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规格书 |
TK39A60W![]() |
系列 | * |
其他名称 | TK39A60WS4VX |
标准包装 | 50 |
安装风格 | Through Hole |
配置 | Single |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | 30 V |
连续漏极电流 | 38.8 A |
RDS(ON) | 0.055 Ohms |
封装 | Tube |
功率耗散 | 50 W |
最低工作温度 | - 55 C |
封装/外壳 | TO-220-3 FP |
栅极电荷Qg | 110 nC |
典型关闭延迟时间 | 200 ns |
上升时间 | 50 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 600 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 9 ns |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Through Hole |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3.7V @ 1.9mA |
供应商设备封装 | TO-220SIS |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 65 mOhm @ 19.4A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 50W |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 38.8A (Ta) |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 4100pF @ 300V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 110nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 50 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.7 V |
Qg - Gate Charge | 110 nC |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
品牌 | Toshiba |
通道数 | 1 Channel |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 38.8 A |
长度 | 10 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 55 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
身高 | 15 mm |
典型导通延迟时间 | 80 ns |
Pd - Power Dissipation | 50 W |
技术 | Si |
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