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厂商型号

RN1106T5LFT 

产品描述

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SSM T/R

内部编号

369-RN1106T5LFT

生产厂商

toshiba

toshiba

#1

数量:3000
3000+¥0.252
6000+¥0.219
15000+¥0.186
30000+¥0.175
75000+¥0.164
150000+¥0.142
最小起订量:3000
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#2

数量:4225
1+¥1.545
10+¥1.41
25+¥1.015
100+¥0.789
250+¥0.496
500+¥0.422
1000+¥0.288
最小起订量:1
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RN1106T5LFT产品详细规格

规格书 RN1106T5LFT datasheet 规格书
RN1106T5LFT datasheet 规格书
RN110x
RN1106T5LFT datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻 - 基地(R1)(欧姆) 4.7k
电阻器 - 发射基地(R2)(欧姆) 47k
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 80 @ 10mA, 5V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 300mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
频率转换 250MHz
功率 - 最大 100mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 SC-75, SOT-416
供应商器件封装 SSM (1.6x1.6)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SSM
配置 Single
类型 NPN
最大集电极发射极电压 50 V
峰值直流集电极电流 100 mA
最小直流电流增益 80@10mA@5V
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
频率 - 转换 250MHz
电阻器 - 基( R1 ) (欧姆) 4.7k
电流 - 集电极截止(最大) 100nA (ICBO)
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 300mV @ 250µA, 5mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 SSM
封装 Tape & Reel (TR)
电阻器 - 发射极基( R 2 ) (欧姆) 47k
功率 - 最大 100mW
封装/外壳 SC-75, SOT-416
安装类型 Surface Mount
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 80 @ 10mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 RN1106T5LFTCT
工厂包装数量 3000
产品种类 Transistors Switching - Resistor Biased
RoHS RoHS Compliant

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