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图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:2493 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:13585 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:10001 |
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最小起订金额:￥1575 马来西亚吉隆坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
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| 文档 |
Copper Lead Frame 12/Oct/2007 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 1.5A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 25V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 500mV @ 80mA, 800mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 85 @ 100mA, 1V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 频率转换 | 200MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 包装材料 | Bulk |
| 包装 | 3TO-92 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 25 V |
| 集电极最大直流电流 | 1.5 A |
| 最小直流电流增益 | 85@100mA@1V |
| 最大工作频率 | 200(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.5@80mA@800mA V |
| 最大集电极基极电压 | 40 V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 1000 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 集电极最大直流电流 | 1.5 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 最大基地发射极电压 | 6 |
| Maximum Transition Frequency | 200(Typ) |
| 封装 | Bulk |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 40 |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 最大集电极发射极电压 | 25 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1.5A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 200MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 500mV @ 80mA, 800mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 25V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 85 @ 100mA, 1V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | - 6 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 85 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 |
| 单位重量 | 0.006314 oz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 25 V |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | - 0.28 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | - 1.5 A |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 系列 | SS8550 |
| 集电极 - 基极电压VCBO | - 40 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 长度 | 4.7 mm |
| 身高 | 4.7 mm |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
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