规格书 |
|
标准包装 |
2,500 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) |
60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
11A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
107 mOhm @ 8A, 5V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
3V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
11.3nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
350pF @ 25V |
功率 - 最大 |
38W |
安装类型
|
Surface Mount |
包/盒
|
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 |
TO-252AA |
包装材料
|
Tape & Reel (TR) |
动态目录 |
N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16104?mpart=RFD3055LESM9A&vendor=261&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
包装 |
3DPAK |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
60 V |
最大连续漏极电流 |
11 A |
RDS -于 |
107@5V mOhm |
最大门源电压 |
±16 V |
典型导通延迟时间 |
8 ns |
典型上升时间 |
105 ns |
典型关闭延迟时间 |
22 ns |
典型下降时间 |
39 ns |
工作温度 |
-55 to 175 °C |
安装 |
Surface Mount |
标准包装 |
Tape & Reel |
最大门源电压 |
±16 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最高工作温度 |
175 |
标准包装名称 |
DPAK |
最低工作温度 |
-55 |
渠道类型 |
N |
封装 |
Tape and Reel |
最大漏源电阻 |
107@5V |
最大漏源电压 |
60 |
每个芯片的元件数 |
1 |
供应商封装形式 |
DPAK |
最大功率耗散 |
38000 |
最大连续漏极电流 |
11 |
引脚数 |
3 |
铅形状 |
Gull-wing |
FET特点 |
Logic Level Gate |
安装类型 |
Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
11A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
3V @ 250µA |
供应商设备封装 |
TO-252AA |
其他名称 |
RFD3055LESM9ATR |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
107 mOhm @ 8A, 5V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
38W |
漏极至源极电压(Vdss) |
60V |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
350pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
11.3nC @ 10V |
封装/外壳 |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 |
2500 |
晶体管极性 |
N-Channel |
连续漏极电流 |
11 A |
封装/外壳 |
TO-252AA |
零件号别名 |
RFD3055LESM9A_NL |
下降时间 |
39 ns |
产品种类 |
MOSFET |
单位重量 |
0.009184 oz |
配置 |
Single |
最高工作温度 |
+ 175 C |
RoHS |
RoHS Compliant By Exemption |
源极击穿电压 |
+/- 16 V |
系列 |
RFD3055LESM |
RDS(ON) |
107 mOhms |
安装风格 |
SMD/SMT |
功率耗散 |
38 W |
最低工作温度 |
- 55 C |
上升时间 |
105 ns |
漏源击穿电压 |
60 V |
漏极电流(最大值) |
11 A |
频率(最大) |
Not Required MHz |
栅源电压(最大值) |
�16 V |
输出功率(最大) |
Not Required W |
噪声系数 |
Not Required dB |
漏源导通电阻 |
0.107 ohm |
工作温度范围 |
-55C to 175C |
包装类型 |
DPAK |
极性 |
N |
类型 |
Power MOSFET |
元件数 |
1 |
工作温度分类 |
Military |
漏极效率 |
Not Required % |
漏源导通电压 |
60 V |
功率增益 |
Not Required dB |
弧度硬化 |
No |
Continuous Drain Current Id |
:11A |
Drain Source Voltage Vds |
:60V |
On Resistance Rds(on) |
:0.107ohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs |
:5V |
Threshold Voltage Vgs |
:1V |
No. of Pins |
:3 |
Weight (kg) |
0 |
Tariff No. |
85412900 |