文档 |
Multiple Devices 14/Mar/2011 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,500 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 1.2A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 40V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 950mV @ 100mA, 1A |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 60 @ 100mA, 1V |
功率 - 最大 | 1W |
频率转换 | 250MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
供应商器件封装 | TO-226 |
包装材料 | Bulk |
集电极最大直流电流 | 1.2 |
最小直流电流增益 | 30@10mA@1V|60@100mA@1V|40@300mA@1... |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
最低工作温度 | -55 |
最大功率耗散 | 1000 |
最大基地发射极电压 | 6 |
Maximum Transition Frequency | 250(Min) |
封装 | Bulk |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 60 |
供应商封装形式 | TO-226 |
最大集电极发射极电压 | 40 |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 1.2A |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 250MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 950mV @ 100mA, 1A |
标准包装 | 1,500 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 40V |
供应商设备封装 | TO-226 |
功率 - 最大 | 1W |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 60 @ 100mA, 1V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
频率 - 跃迁 | 250MHz |
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 950mV @ 100mA, 1A |
晶体管类型 | NPN |
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 60 @ 100mA, 1V |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
功率 - 最大值 | 1W |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1.2A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V |
MPSW3725相关搜索
咨询QQ
热线电话