文档 |
Copper Lead Frame 12/Oct/2007
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
10,000 |
晶体管类型 |
NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) |
300mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
25V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC |
400mV @ 30mA, 300mA |
电流 - 集电极截止(最大) |
- |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE |
200 @ 50mA, 1V |
功率 - 最大 |
400mW |
频率转换 |
- |
安装类型
|
Through Hole |
包/盒
|
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
供应商器件封装 |
TO-92-3 |
包装材料
|
Bulk |
集电极最大直流电流 |
0.3 |
最小直流电流增益 |
200@50mA@1V |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最高工作温度 |
150 |
最大集电极基极电压 |
30 |
标准包装名称 |
TO-92 |
包装高度 |
5.33(Max) |
安装 |
Through Hole |
最大功率耗散 |
400 |
最大基地发射极电压 |
5 |
PCB |
3 |
最低工作温度 |
-55 |
每个芯片的元件数 |
1 |
包装宽度 |
4.19(Max) |
供应商封装形式 |
TO-92 |
包装长度 |
5.2(Max) |
最大集电极发射极电压 |
25 |
类型 |
NPN |
引脚数 |
3 |
铅形状 |
Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) |
300mA |
晶体管类型 |
NPN |
安装类型 |
Through Hole |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 |
400mV @ 30mA, 300mA |
标准包装 |
10,000 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
25V |
供应商设备封装 |
TO-92-3 |
封装 |
Bulk |
功率 - 最大 |
400mW |
封装/外壳 |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 |
200 @ 50mA, 1V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |