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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

KSC838CYTA 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Epitaxial Transistor

内部编号

3-KSC838CYTA

#1

数量:1252
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:¥₩600
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KSC838CYTA产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 30mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 400mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 120 @ 2mA, 12V
功率 - 最大 250mW
频率转换 250MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Tape & Box (TB)
集电极最大直流电流 0.03
最低工作温度 -55
安装 Through Hole
Maximum Transition Frequency 250(Typ)
包装宽度 4.19(Max)
PCB 3
最大功率耗散 250
类型 NPN
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 35
最大集电极发射极电压 30
供应商封装形式 TO-92
标准包装名称 TO-92
最高工作温度 150
包装长度 5.2(Max)
引脚数 3
最小直流电流增益 120@2mA@12V
包装高度 5.33(Max)
最大基地发射极电压 4
封装 Ammo
铅形状 Formed
电流 - 集电极( Ic)(最大) 30mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 250MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 400mV @ 1mA, 10mA
标准包装 2,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 250mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 120 @ 2mA, 12V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
频率 - 跃迁 250MHz
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 400mV @ 1mA, 10mA
晶体管类型 NPN
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 120 @ 2mA, 12V
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
功率 - 最大值 250mW
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 30mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 30V

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