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厂商型号

KSC2690YSTU 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

内部编号

3-KSC2690YSTU

#1

数量:1750
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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KSC2690YSTU产品详细规格

规格书 KSC2690YSTU datasheet 规格书
KSC2690/A
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 60
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 1.2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 120V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 700mV @ 200mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 160 @ 300mA, 5V
功率 - 最大 1.2W
频率转换 155MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-225AA, TO-126-3
供应商器件封装 TO-126
包装材料 Tube
集电极最大直流电流 1.2
最小直流电流增益 160@300mA@5V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-225-AA
最低工作温度 -55
最大功率耗散 1200
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 155(Typ)
封装 Rail
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 120
供应商封装形式 TO-126
最大集电极发射极电压 120
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1.2A
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 155MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 700mV @ 200mA, 1A
标准包装 60
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 120V
供应商设备封装 TO-126
功率 - 最大 1.2W
封装/外壳 TO-225AA, TO-126-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 160 @ 300mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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