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KSB1366G现货价格
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产品分类
分立半导体
晶体管(BJT)
单
KSB1366G
图片仅供参考,产品以实物为准
厂商型号
KSB1366G
产品描述
Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Bulk
内部编号
3-KSB1366G
生产厂商
fairchild semiconductor
库存信息
产品规格
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#1
数量:1170
1+
¥2.0804
25+
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500+
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原厂背书质量,全面技术支持
全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税
支付方式
全面支持货到付款
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KSB1366G产品详细规格
规格书
Rohs
Lead free / RoHS Compliant
标准包装
200
晶体管类型
PNP
- 集电极电流(Ic)(最大)
3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
60V
Vce饱和(最大)@ IB,IC
1V @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大)
-
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE
150 @ 500mA, 5V
功率 - 最大
2W
频率转换
9MHz
安装类型
Through Hole
包/盒
TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装
TO-220F
包装材料
Bulk
包装
3TO-220F
类型
PNP
引脚数
3
最大集电极发射极电压
60 V
集电极最大直流电流
3 A
最小直流电流增益
150@500mA@5V
最大工作频率
9(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压
1@0.2A@2A V
工作温度
-55 to 150 °C
最大功率耗散
2000 mW
安装
Through Hole
标准包装
Bulk
集电极最大直流电流
3
Maximum Transition Frequency
9(Typ)
包装宽度
4.7
PCB
3
最大功率耗散
2000
欧盟RoHS指令
Compliant
每个芯片的元件数
1
最大集电极基极电压
60
最低工作温度
-55
供应商封装形式
TO-220F
标准包装名称
TO-220F
最高工作温度
150
包装长度
10.16
最大集电极发射极电压
60
包装高度
15.87
最大基地发射极电压
7
封装
Bulk
标签
Tab
铅形状
Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大)
3A
晶体管类型
PNP
安装类型
Through Hole
频率 - 转换
9MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件
1V @ 200mA, 2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
60V
供应商设备封装
TO-220F
功率 - 最大
2W
封装/外壳
TO-220-3 Full Pack
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时
150 @ 500mA, 5V
RoHS指令
Lead free / RoHS Compliant
KSB1366G系列产品
型号
厂家
产品描述
KSB1366GTU
fairchild semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
KSB1366GTU
rochester electronics
PNP/60V/3A
KSB1366Y
Fairchild Semiconductor
Transistors Bipolar - BJT PNP Epitaxial Sil
KSB1366YTU
Fairchild Semiconductor
Transistors Bipolar - BJT PNP Epitaxial Sil
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产品分类
分立
双极晶体管
GP BJT
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