规格书 |


|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
500 |
晶体管类型 |
PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) |
1A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
160V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC |
1.5V @ 50mA, 500mA |
电流 - 集电极截止(最大) |
- |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE |
100 @ 200mA, 5V |
功率 - 最大 |
900mW |
频率转换 |
50MHz |
安装类型
|
Through Hole |
包/盒
|
TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
供应商器件封装 |
TO-92L |
包装材料
|
Tube |
包装 |
3TO-92L |
类型 |
PNP |
引脚数 |
3 |
最大集电极发射极电压 |
160 V |
集电极最大直流电流 |
1 A |
最小直流电流增益 |
100@200mA@5V |
最大工作频率 |
50(Typ) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 |
1.5@50mA@500mA V |
工作温度 |
-55 to 150 °C |
最大功率耗散 |
900 mW |
安装 |
Through Hole |
标准包装 |
Bulk |
集电极最大直流电流 |
1 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最高工作温度 |
150 |
标准包装名称 |
TO-92 |
最低工作温度 |
-55 |
最大功率耗散 |
900 |
最大基地发射极电压 |
6 |
Maximum Transition Frequency |
50(Typ) |
封装 |
Bulk |
每个芯片的元件数 |
1 |
最大集电极基极电压 |
160 |
供应商封装形式 |
TO-92L |
最大集电极发射极电压 |
160 |
铅形状 |
Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) |
1A |
晶体管类型 |
PNP |
安装类型 |
Through Hole |
频率 - 转换 |
50MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 |
1.5V @ 50mA, 500mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
160V |
供应商设备封装 |
TO-92L |
功率 - 最大 |
900mW |
封装/外壳 |
TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 |
100 @ 200mA, 5V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 |
500 |
晶体管极性 |
PNP |
发射极 - 基极电压VEBO |
- 6 V |
零件号别名 |
KSA1013OBU_NL |
安装风格 |
Through Hole |
产品种类 |
Transistors Bipolar - BJT |
直流集电极/增益hfe最小值 |
60 |
直流电流增益hFE最大值 |
320 |
单位重量 |
0.006526 oz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO |
- 160 V |
配置 |
Single |
最高工作温度 |
+ 150 C |
集电极 - 发射极饱和电压 |
- 1.5 V |
RoHS |
RoHS Compliant |
连续集电极电流 |
- 1 A |
增益带宽产品fT |
50 MHz |
系列 |
KSA1013 |
集电极 - 基极电压VCBO |
- 160 V |
最低工作温度 |
- 55 C |
宽度 |
3.9 mm |
品牌 |
Fairchild Semiconductor |
长度 |
4.9 mm |
身高 |
8 mm |
Pd - Power Dissipation |
0.9 W |