图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 包装 | 8SOIC N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 5.1 A |
| RDS -于 | 49@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±16 V |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型上升时间 | 19 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 典型下降时间 | 27 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±16 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 49@10V |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 筛选等级 | Automotive |
| 最大功率耗散 | 2500 |
| 最大连续漏极电流 | 5.1 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 连续漏极电流 | 5.1 A |
| 单位重量 | 0.006596 oz |
| RDS（ON） | 49 mOhms |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SO-8 |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | * |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 供应商设备封装 | * |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 49 mOhm @ 5.1A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 620pF @ 25V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5.1A |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 23nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 49 mOhms |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 5.1 A |
| 身高 | 1.75 mm |
| 长度 | 4.9 mm |
| 通道数 | 2 Channel |
| 系列 | HUF76413DK_F085 |
| 配置 | Dual |
| 技术 | Si |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
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