1. HGTP12N60C3D
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厂商型号

HGTP12N60C3D 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

内部编号

3-HGTP12N60C3D

#1

数量:830
1+¥17.8756
25+¥16.5657
100+¥15.8723
500+¥15.2559
1000+¥14.4854
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:434
1+¥24.2738
10+¥19.4874
100+¥17.778
250+¥16.0002
500+¥14.3592
1000+¥12.0344
2500+¥11.4873
5000+¥10.5301
最小起订量:1
美国加州
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#3

数量:3000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

HGTP12N60C3D产品详细规格

规格书 HGTP12N60C3D datasheet 规格书
HGTP12N60C3D datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 400
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A
- 集电极电流(Ic)(最大) 24A
功率 - 最大 104W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube
包装 3TO-220AB
配置 Single
最大集电极发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 24 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
供应商封装形式 TO-220AB
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 24
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-220
渠道类型 N
封装 Rail
最大集电极发射极电压 600
最大功率耗散 104000
最低工作温度 -40
引脚数 3
铅形状 Through Hole
栅极电荷 48nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 24A
安装类型 Through Hole
开关能量 380µJ (on), 900µJ (off)
时间Td(开/关) @ 25°C 28ns/270ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.2V @ 15V, 15A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-220AB
反向恢复时间(trr ) 23ns
功率 - 最大 104W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-220-3
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 96A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 400
集电极 - 发射极饱和电压 1.65 V
栅极 - 射极漏泄电流 +/- 100 nA
连续集电极电流Ic最大 24 A
系列 HGTP12
连续集电极电流在25 C 24 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
单位重量 0.063493 oz
安装风格 Through Hole
功率耗散 104 W
最低工作温度 - 40 C
零件号别名 HGTP12N60C3D_NL
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 24 A
集电极 - 发射极电压 600 V
包装类型 TO-220AB
工作温度(最大) 150C
工作温度(最小值) -40C
工作温度分类 Automotive
Gate to Emitter Voltage (Max) �20 V
弧度硬化 No
集电极电流(DC ) 24 A
宽度 4.83 mm
品牌 Fairchild Semiconductor
长度 10.67 mm
连续集电极电流 24 A
身高 9.4 mm
Pd - Power Dissipation 104 W
技术 Si

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