图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

HGTG12N60B3 

产品描述

IGBT Transistors 12A 600V UFS N-Ch

内部编号

3-HGTG12N60B3

#1

数量:730
1+¥10.4788
25+¥9.7083
100+¥9.323
500+¥8.9378
1000+¥8.4755
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

#2

数量:730
1+¥10.4788
25+¥9.7083
100+¥9.323
500+¥8.9378
1000+¥8.4755
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

#3

数量:0
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

HGTG12N60B3产品详细规格

文档 Plating Material 20/Dec/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 300
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A
- 集电极电流(Ic)(最大) 27A
功率 - 最大 104W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装 TO-247AD
包装材料 Tube
供应商封装形式 TO-247
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 27
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装宽度 4.82
标准包装名称 TO-247
包装高度 20.82
安装 Through Hole
最大功率耗散 104000
渠道类型 N
封装 Rail
最大集电极发射极电压 600
标签 Tab
PCB 3
包装长度 15.87
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Through Hole
栅极电荷 51nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 27A
安装类型 Through Hole
标准包装 300
开关能量 150µJ (on), 250µJ (off)
时间Td(开/关) @ 25°C 26ns/150ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.1V @ 15V, 12A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-247AD
功率 - 最大 104W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-3P-3, SC-65-3
测试条件 480V, 12A, 25 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 110A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

HGTG12N60B3系列产品

HGTG12N60B3相关搜索

订购HGTG12N60B3.产品描述:IGBT Transistors 12A 600V UFS N-Ch. 生产商: Fairchild Semiconductor.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-62155488
    010-82149488
    010-82149921
    010-57196138
    010-82149008
  • 深圳
  • 0755-82511472
    0755-83247615
    0755-83997440
    0755-83975736
  • 苏州
  • 0512-67683728
    0512-67684200
    0512-68796728
    0512-67687578
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com