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厂商型号

HGT1S12N60A4S9A 

产品描述

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

内部编号

3-HGT1S12N60A4S9A

#1

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HGT1S12N60A4S9A产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 800
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A
- 集电极电流(Ic)(最大) 54A
功率 - 最大 167W
Input 型 Standard
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 TO-263AB
包装材料 Tape & Reel (TR)
供应商封装形式 D2PAK
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 54
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 D2PAK
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大集电极发射极电压 600
最大功率耗散 167000
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
栅极电荷 78nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 54A
安装类型 Surface Mount
标准包装 800
开关能量 55µJ (on), 50µJ (off)
时间Td(开/关) @ 25°C 17ns/96ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.7V @ 15V, 12A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-263AB
功率 - 最大 167W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
测试条件 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
其他名称 HGT1S12N60A4S9ATR
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 96A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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