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| 文档 |
Passivation Material 14/May/2008 |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 500V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 13A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 480 mOhm @ 6.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 56nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2055pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 48W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 包装材料 | Tube |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 安装 | Through Hole |
| 包装宽度 | 4.7 |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 48000 |
| 最大漏源电压 | 500 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 480@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-220F |
| 标准包装名称 | TO-220F |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 10.16 |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 15.87 |
| 最大连续漏极电流 | 13 |
| 封装 | Rail |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 13A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 标准包装 | 1,000 |
| 供应商设备封装 | TO-220F |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 480 mOhm @ 6.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 48W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2055pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 56nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 连续漏极电流 | 13 A |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 功率耗散 | 48 W |
| 漏源导通电阻 | 0.48 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-220F |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 500 V |
| 弧度硬化 | No |
| 工厂包装数量 | 50 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 宽度 | 4.7 mm |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| 下降时间 | 100 ns |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 15 S |
| Id - Continuous Drain Current | 13 A |
| 长度 | 10.67 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 480 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 典型关闭延迟时间 | 130 ns |
| 系列 | FQPF13N50C |
| 身高 | 16.3 mm |
| 安装风格 | Through Hole |
| 典型导通延迟时间 | 25 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 48 W |
| 上升时间 | 100 ns |
| 技术 | Si |
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