标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 200V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 3.8A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 1.35 Ohm @ 1.9A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 5.2nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 310pF @ 25V |
功率 - 最大 | 45W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220 |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220AB |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 200 V |
最大连续漏极电流 | 3.8 A |
RDS -于 | 1350@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 7 ns |
典型上升时间 | 70 ns |
典型关闭延迟时间 | 15 ns |
典型下降时间 | 40 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-220 |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
封装 | Rail |
最大漏源电阻 | 1350@10V |
最大漏源电压 | 200 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | TO-220AB |
最大功率耗散 | 45000 |
最大连续漏极电流 | 3.8 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Through Hole |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 3.8A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
供应商设备封装 | TO-220 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 1.35 Ohm @ 1.9A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 45W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 310pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 5.2nC @ 5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 50 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
晶体管极性 | N-Channel |
宽度 | 4.7 mm |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
类型 | MOSFET |
下降时间 | 40 ns |
安装风格 | Through Hole |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
通道数 | 1 Channel |
商品名 | QFET |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
正向跨导 - 闵 | 2 S |
Id - Continuous Drain Current | 3.8 A |
长度 | 10.67 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.35 Ohms |
RoHS | RoHS Compliant |
系列 | FQP4N20L |
身高 | 16.3 mm |
最低工作温度 | - 55 C |
Pd - Power Dissipation | 45 W |
上升时间 | 70 ns |
技术 | Si |
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