图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 D2-PAK Tape and Reel Data |
| 文档 |
Passivation Material 14/May/2008 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 800 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 500V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 9A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 800 mOhm @ 4.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 35nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1030pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 135W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3D2PAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 最大连续漏极电流 | 9 A |
| RDS -于 | 800@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 18 ns |
| 典型上升时间 | 65 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 93 ns |
| 典型下降时间 | 64 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 800@10V |
| 最大漏源电压 | 500 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 最大功率耗散 | 135000 |
| 最大连续漏极电流 | 9 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 供应商设备封装 | TO-263 (D2Pak) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 800 mOhm @ 4.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 135W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1030pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 35nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | FQB9N50CTMFSCT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
| 身高 | 4.83mm |
| 长度 | 10.67mm |
| 最大漏源电阻 | 0.8 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 135 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | D2PAK |
| 典型栅极电荷@ VGS | 28 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 790 pF V @ 25 |
| 宽度 | 9.65mm |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 9 A |
| 封装/外壳 | TO-263 |
| 零件号别名 | FQB9N50CTM_NL |
| 下降时间 | 64 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 单位重量 | 0.046296 oz |
| 正向跨导 - 闵 | 6.5 S |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 系列 | FQB9N50C |
| RDS（ON） | 800 mOhms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 135 W |
| 上升时间 | 65 ns |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| 栅源电压（最大值） | ?30 V |
| 漏源导通电阻 | 0.8 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 500 V |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :9A |
| Drain Source Voltage Vds | :500V |
| On Resistance Rds(on) | :0.65ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :2V |
| 功耗 | :135W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-263AB |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| Weight (kg) | 0.01 |
| Tariff No. | 85412900 |
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