规格书 |
![]() ![]() D2-PAK Tape and Reel Data ![]() |
文档 |
Passivation Material 14/May/2008 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 800 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 500V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 9A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 800 mOhm @ 4.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 35nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1030pF @ 25V |
功率 - 最大 | 135W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | D²PAK |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3D2PAK |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 500 V |
最大连续漏极电流 | 9 A |
RDS -于 | 800@10V mOhm |
最大门源电压 | ±30 V |
典型导通延迟时间 | 18 ns |
典型上升时间 | 65 ns |
典型关闭延迟时间 | 93 ns |
典型下降时间 | 64 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±30 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | D2PAK |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 800@10V |
最大漏源电压 | 500 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | D2PAK |
最大功率耗散 | 135000 |
最大连续漏极电流 | 9 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Gull-wing |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 9A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
供应商设备封装 | TO-263 (D2Pak) |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 800 mOhm @ 4.5A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 135W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1030pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 35nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | FQB9N50CTMFSCT |
类别 | Power MOSFET |
配置 | Single |
外形尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
身高 | 4.83mm |
长度 | 10.67mm |
最大漏源电阻 | 0.8 Ω |
最高工作温度 | +150 °C |
最大功率耗散 | 135 W |
最低工作温度 | -55 °C |
包装类型 | D2PAK |
典型栅极电荷@ VGS | 28 nC V @ 10 |
典型输入电容@ VDS | 790 pF V @ 25 |
宽度 | 9.65mm |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 9 A |
封装/外壳 | TO-263 |
零件号别名 | FQB9N50CTM_NL |
下降时间 | 64 ns |
产品种类 | MOSFET |
单位重量 | 0.046296 oz |
正向跨导 - 闵 | 6.5 S |
RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
源极击穿电压 | +/- 30 V |
系列 | FQB9N50C |
RDS(ON) | 800 mOhms |
安装风格 | SMD/SMT |
功率耗散 | 135 W |
上升时间 | 65 ns |
漏源击穿电压 | 500 V |
栅源电压(最大值) | ?30 V |
漏源导通电阻 | 0.8 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏源导通电压 | 500 V |
弧度硬化 | No |
Continuous Drain Current Id | :9A |
Drain Source Voltage Vds | :500V |
On Resistance Rds(on) | :0.65ohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
Threshold Voltage Vgs | :2V |
功耗 | :135W |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :TO-263AB |
No. of Pins | :3 |
MSL | :MSL 1 - Unlimited |
SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
Weight (kg) | 0.01 |
Tariff No. | 85412900 |
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