图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 文档 |
Lead Frame Dimensions 29/Nov/2007 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 8A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 400V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 3V @ 2A, 8A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 15 @ 2A, 5V |
| 功率 - 最大 | 80W |
| 频率转换 | 4MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 400 V |
| 集电极最大直流电流 | 8 A |
| 最小直流电流增益 | 15@2A@5V |
| 最大工作频率 | 4(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.4A@2A|2@1A@5A|3@2A@8A V |
| 最大集电极基极电压 | 700 V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 80000 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 集电极最大直流电流 | 8 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大功率耗散 | 80000 |
| 最大基地发射极电压 | 9 |
| Maximum Transition Frequency | 4(Min) |
| 封装 | Tape and Reel |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 700 |
| 供应商封装形式 | TO-220 |
| 最大集电极发射极电压 | 400 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 8A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 4MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 3V @ 2A, 8A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 400V |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
| 功率 - 最大 | 80W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 15 @ 2A, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 9 V |
| 零件号别名 | FJP13007H1TU_NL |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 15 |
| 单位重量 | 0.042823 oz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 8 A |
| 增益带宽产品fT | 4 MHz |
| 系列 | FJP13007 |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 700 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 8 A |
| 集电极 - 基极电压 | 700 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 400 V |
| 发射极 - 基极电压 | 9 V |
| 频率（最大） | 4 MHz |
| 功率耗散 | 80 W |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 包装类型 | TO-220 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 15 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 | 4 MHz |
| 直流电流增益 | 15 |
| 集电极电流（DC ） | 8 A |
| 宽度 | 4.83 mm (Max) |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 长度 | 10.67 mm (Max) |
| 身高 | 9.4 mm (Max) |
| Pd - Power Dissipation | 80 W |
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